SRAM和HBM是两种不同类型的内存技术，它们的主要区别在于带宽、容量、速度和功耗。

SRAM（Static Random Access Memory）是一种静态随机存取存储器，它每个位元组都由六个晶体管组成，可以持续保持数据，不需要定期刷新。SRAM的带宽和速度相对较高，但容量较小，功耗也较高。

HBM（High-Bandwidth Memory）是一种高带宽内存技术，它使用垂直堆叠的方式将多个内存芯片集成在一起，从而实现了更高的带宽和容量。HBM的速度也很快，但由于其复杂的结构和制造过程，功耗相对较高。

因此，SRAM和HBM各有其优缺点，需要根据具体的应用场景和需求来选择使用哪种内存技术。